Foi revelado hoje pela Samsung seu novo módulo de memória RAM DDR5 que demonstra o potencial desta nova geração em termos de velocidade e capacidade. O pente de memória DDR5 de 512GB é o primeiro a utilizar a tecnologia High-K Metal Gate (HKMG), proporcionando velocidades de 7200Mbps (mais que o dobro de memórias DDR4 segundo a Samsung). Atualmente o hardware é voltado para supercomputadores, IA e machine learning, ou seja, situações em que há um grande consumo de dados, porém, eventualmente a tecnologia chegará para PCs comuns.
Sobre a tecnologia High-K Metal Gate (HKMG)
A HKMG não é uma nova tecnologia, a Samsung a utilizou pela primeira vez em 2018 para desenvolver chips GDDR6 para serem utilizados em placas de vídeo (GPUs). Esta tecnologia foi desenvolvida pela Intel e utiliza como matéria prima o háfnio ao invés do silício, que trabalha com metais, substituindo assim os eletrodos de polissilício. Essa técnica permite que se obtenha chips com maior densidade, além de reduzir o vazamento de corrente.
Como funciona?
Cada chip do módulo de memória utiliza oito camadas de chips DRAM de 16GB, obtendo assim uma capacidade de 128GB no total. Ou seja, para conseguir criar um módulo de memória de 512GB, seria preciso 32 chips de 16GB.
O novo pente de memória DDR5 da Samsung promete não só velocidade e capacidade mais altas, mas também uma eficiência energética melhor. Segundo a empresa, seu módulo de memória consegue ser 13% mais eficiente comparado a pentes que não utilizam a tecnologia HKMG.
Capacidades
A nova memória DDR5 da Samsung consegue, devido a sua capacidade de atingir uma velocidade de 7200Mbps, ela consegue fornecer aproximadamente 57,6GB/s em um único canal. Segundo a Samsung, seus novos módulos de memória DDR5 serão compatíveis com a próxima geração de processadores Intel Xeon, chamada "Sapphire Rapids". A arquitetura destas novas CPUs terá um controlador de memória DDR5 de oito canais, ou seja, será possível obter transferências de memória de até 460GB/s.
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