As brigas por patentes ocorrem com muita frequência, muito mais do que imaginamos. A Apple e a Samsung, por exemplo, se enfrentam em um mesmo processo há cerca de 7 anos. A sul-coreana, agora, também está enfrentando outra disputa de patente. A empresa foi condenada a pagar 400 milhões de dólares ao Instituto Avançado de Ciência e Tecnologia da Coreia por uma patente envolvendo a tecnologia FinFET.
A patente em questão foi desenvolvida pela empresa KAIST IP US, subsidiária do Instituto, e pela universidade, porém está registrado no nome da KAIST IP. O processo em questão teve início através da empresa já que a outra parte envolvida não acreditava no grande potencial que a tecnologia realmente tinha.
Atualmente, ela é usada amplamente em vários processadores da Samsung e também da Qualcomm, por exemplo. O FinFET é a solução encontrada hoje em dia para o uso de dois chips em smartphones e ainda para que outras tecnologias sejam construídas através do processo de 14nm e menores, como é o caso do Snapdragon 636, Snapdragon 845 e Exynos 9810.
Companhias como a Qualcomm e GlobalFoundries também estavam envolvidas, no entanto, não tiveram uma ordem de pagamento de multa. Isso pode ter acontecido porque a Samsung compartilhou o uso da tecnologia com elas, como no Snapdragon 835, que acabou sendo fabricado por ela em 10 nm de litografia no padrão finFET.
A Samsung, após a decisão, revelou que iria encontrar meios e recursos para recorrer da decisão. Devido ao caráter intencional da ofensa, o júri ainda pode aumentar em três vezes o valor da multa, totalizando até US$ 1.200 bilhão em sanções.
"Vamos considerar todas as opções para obter um resultado que seja razoável, incluindo uma apelação", disse a empresa em um comunicado.
O processo foi aberto junto à corte de Marshall, também no Texas, bastante conhecida por conceder decisões favoráveis aos detentores de patentes em suas jurisprudências.
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